性别

男

学历学位

博士

职称

教授

导师类型

博导，硕导

联系电话

022-60214010

所属学院

集成电路科学

与工程学院

Email

kailiang_zhang2007@163.com

人才称号

天津市高等学校特聘教授；

教育部新世纪优秀人才支持计划人选；

天津市“131”创新型人才培养工程第一层次人选。

学术兼职

天津市薄膜电子与通信器件重点实验室 主任

招生专业

电子科学与技术（硕士招生）

材料科学与工程（博士招生）

集成电路工程（硕士招生）

研究方向

（1）新型易阻存储材料及神经形态器件

（2）新型二维纳电子材料及半导体器件

（3）CMP及集成电路下一代互连技术

（4）新型光电材料与器件物理（博士招生方向）

一、科研项目（项目负责人）

【1】 国家自然科学基金，碳纳米管电极交叉阵列阻变存储单元构建及开关特性研究（61274113），2013.01~2016.12，82万；

【2】 国家自然科学基金，极大规模集成电路碳纳米管互连基础及关键工艺研究（60806030），2009.1-2011.12，23万元；

【3】国家科技部重点研发计划，新型高密度存储材料与器件，项目编号：2017YFB0405600；2017.07-2021.06；40万。

【4】天津市科技计划重点项目，定向碳纳米管电路垂直互连集成技术研究（10SYSYJC27700），2010.4-2013.3，50万元；

【5】 教育部新世纪优秀人才支持计划，基于碳纳米管交叉电极阵列-叠层阻变存储器件关键技术研究，项目编号：NCET-11-1064，2012~2014，50万；

【6】 天津市自然科学基金重点项目，二维硫化钼可控生长工艺优化及其场效应特性研究，项目编号：18JCZDJC30500；2018.04-2021.03，20万；

【7】 天津市高等学校创新团队培养计划，项目编号：TD13-5024， 2018.1-2020.12，180万；

【8】天津市 “131”创新型人才团队，项目编号：201918，2021.4-2024.3，180万；

【9】天津市特聘教授专项基金，微纳器件设计及集成关键技术研究，2009.8-2013.7，50万；

【10】天津市学科领军人才基金，2013.04~2016.03，60万；

二、论文、专著：近期代表作，限10篇（部）

【1】 通讯作者；2D-MoS2/BMN Ceramic Hybrid Structure Flexible TFTs with Tunable Device Properties；ACS Applied Materials & Interfaces，2020,12（34）：38306-38313（I区SCI：NK3VM，IF=8.758，TOP期刊）

【2】 通讯作者, Scalable synthesis of MoSe₂ and its ambipolar behavior，ACS Applied Materials & Interfaces；2017, 9 (41):36009–36016（I 区 SCI: FK4YJ， IF=8.097，TOP期刊）

【3】 通讯作者, Synthesis of Large Area Highly Crystalline Monolayer Molybdenum Disulfide with Tunable Grain Size in H₂ Atmosphere, ACS Applied Materials & Interfaces, 2015， 7 (40), pp 22587–22593（I 区 SCI：CT7NJ， IF=7.145，TOP期刊）

【4】 通讯作者，Controlled growth of bilayer-MoS2 films and MoS2-based field effect transistor (FET) performance optimization；Advanced Electronic Materials，2018，4（4）：1700524；（I区SCI：GC9KD，IF=6.312，TOP期刊）

【5】 第一作者；Two Dimensional Hexagonal Boron Nitride (2D-hBN): Synthesis, Properties and Applications；Journal of Materials Chemistry C，2017，5（46）：11992~12022（I区SCI：FO1RC，IF=5.976，高被引论文，TOP期刊）

【6】 通讯作者；High-performance photodetector and its optoelectronic mechanism of MoS2/WS2 vertical heterostructure，Applied Surface Science，2021，546：149074（I区SCI：QK4OH，IF=6.182，TOP期刊）

【7】 通讯作者， High-performance FET arrays enabled by improved uniformity of wafer-scale MoS₂ synthesized via thermal vapor sulfurization，Applied Sueface Science，2019，483：1136-1141（I区SCI： IC6TN，IF=5.155，TOP期刊）

【8】 通讯作者，Effect of growth temperature on large surface area, ultrathin MoS2 nanofilms fabrication and photovoltaic efficiency，Solar Energy，2018，159（1）：88-96（II区SCI：FT2WS，IF=4.674）

【9】 通讯作者；Tunable interlayer coupling and Schottky barrier in graphene and Janus MoSSe heterostructures by applying external field；Physical Chemistry Chemical Physics，2018,20(37):24109-24116（II区SCI：GW3BX，IF=3.906）

【10】 通讯作者, In situ visualization and detection of surface potential variation of mono and multilayer MoS₂ under different humidities using Kelvin probe force microscopy, Nanotechnology, 2017, 28：295705（Ⅱ区SCI ：EZ5NM，IF=3.573， TOP期刊）

三、其他成果（发明专利）： 

【1】 第一发明人，一种双向限流器件及其制备方法，中国发明专利，授权专利号：ZL201410078446，授权日:2016.9.7

【2】 第一发明人，一种基于碳纳米管-纳米铜粉的环保型导电浆料，中国发明专利，授权专利号：ZL201310105012.6，授权日:2016.04.06

【3】 第一发明人，一种改善碳纳米管电特性的方法，中国发明专利，授权专利号：ZL201210412922.4，授权日:2015.10.28

【4】 第一发明人，基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法，中国发明专利，授权专利号：ZL201310271571.4，授权日:2015.9.30

【5】 第一发明人，一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法，中国发明专利，授权专利号：ZL201310104481.6，授权日:2015.2.18

【6】 第一发明人，一种化学机械抛光用纳米抛光液，中国发明专利，授权专利号： ZL201310105238.6，授权日:2014.10.15

【7】 第一发明人，基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器及其制备方法，中国发明专利，授权专利号：ZL201210440132.7，授权日: 2014.9.10

【8】 第一发明人，一种用于硫系相变材料的化学机械抛光方法及抛光液，中国发明专利，授权专利号：ZL201110320251.4，授权日: 2014.3.19

【9】 第一发明人，一种用于氧化钒化学机械抛光的纳米抛光液及其应用，中国发明专利，授权专利号：ZL201010593331.2，授权日:2013.10.23

【10】 第一发明人，一种磨料经过表面活性剂处理的水基切削液及其制备方法，中国发明专利，授权专利号：ZL201110119091.7，授权日:2013.10.23